低温形成共形氧化物之方法

摘要

本发明一般系提供用于处理半导体基板之设备及方法。更特定的说，本发明之实施例系涉及用于形成具有共形氧化矽层之半导体元件的方法及设备，且该共形氧化矽层系在低温下形成。本发明之一实施例系提供一种形成一半导体闸极结构之方法，该方法包括：在一半导体基板上形成一闸极堆叠；使用一低温循环方法在该半导体基板上形成一共形氧化矽层；以及在该共形氧化矽层上形成一间隙物层。