积体电路及其静电放电防护方法

摘要

本案系为一种积体电路，其包括第一横向扩散金属氧化物半导体电晶体，其具有第一深N型井区与受该第一深N型井区之第一掺杂浓度影响的第一受控制路径；及第二横向扩散金属氧化物半导体电晶体，其具有第二深N型井区与受该第二深N型井区之第二掺杂浓度影响的第二受控制路径，其中该第二受控制路径并联于该第一受控制路径，该第一受控制路径与该第二受控制路径具有相同的类型但具有不同的导通性质，且该类型为N型与P型其中之一。