使用特定前驱体生长金属纳米点

摘要

本发明提供一种在二步骤工艺中形成金属纳米点的技术，其包括：(1)使含硅气体前驱体(101)(例如硅烷)反应以在介电膜层(103B)上形成硅核(117)；以及(2)使用金属前驱体形成金属纳米点，其中所述金属纳米点将来自步骤(1)的所述硅核(117)用作成核点。因此，所述原始硅核(117)是用于后期金属囊封步骤的核心材料。金属纳米点应用于例如快闪存储器晶体管等装置中。

主权项

1. 一种形成金属纳米点的方法，所述方法包含：在衬底的表面上形成介电膜层；在所述介电膜层的暴露表面上形成多个硅成核部位，所述多个硅成核部位是通过包括以下各项的步骤而形成：(i)将含硅前驱体气体引入反应器腔室中，和(ii)使所述含硅前驱体气体的至少一部分离解；以及使用金属涂层囊封所述多个硅成核部位，所述金属涂层是通过包括以下各项的步骤而大体上仅选择性地形成在所述硅成核部位周围：(i)将含金属前驱体气体引入所述反应器腔室中，和(ii)使所述含金属前驱体气体的至少一部分离解。