| 发明名称 | 形成浅槽隔离区的方法、制备集成电路的方法以及形成衬里的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备集成电路(IC)的方法使用了浅槽隔离(STI)技术。该浅槽隔离技术用在应变硅(SMOS)工艺中。沟槽的衬里是由在低温过程中所沉积的半导体层或金属层而形成的，而低温过程减少了锗的释气。该低温过程可以是CVD过程。 | ||
| 申请公布号 | CN100541758C | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200480006974.5 | 申请日期 | 2004.03.11 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | 汪海宏;M·V·努;相奇;P·R·贝塞尔;E·N·佩顿;林明仁 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/763(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟 |
| 主权项 | 1.一种在包含锗的半导体层中形成浅槽隔离区的方法，所述方法包括：在所述半导体层之上提供硬掩模层；在所述硬掩模层之上提供光刻胶层；在光刻过程中选择性去除在特定位置处的所述光刻胶层的部分；去除在所述特定位置处的所述硬掩模层；在位于所述特定位置下的所述半导体层中形成沟槽；在600℃或更低的温度在所述沟槽内提供与所述半导体层接触的保形半导体层；以及将所述保形半导体层转变为所述沟槽中的氧化物衬里，所述氧化物衬里与所述半导体层接触。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||