| 发明名称 | 产生辐射的半导体芯片和发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高功率发光二极管用的产生辐射的半导体芯片(1)，该半导体芯片具有一层包括一个发射电磁辐射的区域的有源层(2)，该半导体芯片具有横侧(9)和纵侧(6)，它们侧向界定有源区域延伸方向上的半导体芯片，并通过它们输出该辐射的至少一部分。根据本发明，至少一个作为输出面用的纵侧(6)在该有源区域的延伸方向内比一个横侧(9)长；并且该横侧(9)应至少选择得这样短，使由在有源层(2)中的位于离一个纵侧(6)最远的、发射辐射的光点(7)所发出的光束可直接在角度小于全反射角的情况下射到该纵侧上；或者作为输出面用的至少一个纵侧(6)在有源层(2)的延伸方向上至少具有一个横侧(9)的10倍的长度；该半导体芯片具有一个包括有源层(2)的多层结构(27)，该多层结构含有GaN、InGaN、AlGaN或InAlGaN。 | ||
| 申请公布号 | CN100541841C | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200610105928.1 | 申请日期 | 2001.07.24 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | J·保尔;D·埃泽尔特;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;U·雅各布;W·普拉斯;U·斯特劳斯;J·维尔克尔;U·策恩德尔 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 赵 辛 |
| 主权项 | 1.产生辐射的半导体芯片，具有一层包括一个发射电磁辐射的区域的有源层(2)，该半导体芯片具有横侧(9)和纵侧(6)，它们侧向界定有源区域延伸方向上的半导体芯片，并通过它们输出该辐射的至少一部分，其特征为，至少一个作为输出面用的纵侧(6)在该有源区域的延伸方向内比一个横侧(9)长，并且该横侧(9)应至少选择得这样短，使由在有源层(2)中的位于离一个纵侧(6)最远的、发射辐射的光点(7)所发出的光束可直接在角度小于全反射角的情况下射到该纵侧上；该半导体芯片具有一个包括有源层(2)的多层结构(27)，该多层结构含有GaN、InGaN、AlGaN或InAlGaN。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||