半导体发光元件

摘要

本发明提供光取出层的层厚没有变薄而被粗糙面化的半导体发光元件。对于这种半导体发光元件，具有包括活性层(6)和光取出层(4)的多个半导体层，具有反射金属膜层(11)，上述光取出层4包括组成比例不同的多个层(23)、(24)，这些多个层(23)、(24)均形成有用于使主表面S粗糙面化的凹凸(22)。

主权项

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具有包括夹在第一、第二包层之间的产生光的活性层和形成第一包层侧的主表面的光取出层的多个半导体层，具有部分地覆盖所述光取出层的第一电极、覆盖所述主表面的相反面的第二电极、在第二包层和第二电极之间反射光的反射金属膜层、与该反射金属膜层的活性层侧相接的氧化物层、在该氧化物层中部分地形成的欧姆接触的接合部，其中，所述光取出层包括组成比例不同的多个层，这些多个层均形成有用于使所述主表面成为粗糙面的凹凸，形成所述光取出层的多个层的材料分别由(AlXGa1-X)YIn1-YP表示，其中0.3≤X≤1，0.4≤Y≤0.6，形成所述光取出层的多个层中最外侧层的材料的Al组成比例小于第二外侧层的材料的Al组成比例，并且，形成所述光取出层的多个层中最外侧层的层厚为50～1000nm。