一种发光二极管芯片制造方法

摘要

一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，再用磷酸(温度为100-220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N-GaN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3-40微米，采用SC-2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N-GaN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30％以上。

主权项

1.一种发光二极管芯片制造方法，所述发光二极管芯片包括蓝宝石衬底、位于蓝宝石衬底上的N-GaN层、位于N-GaN层上的量子阱层以及位于量子阱层上的P-GaN层，采用掩膜后进行刻蚀，露出N-GaN及芯片走道，然后分别在芯片的同侧做透明电极和N、P电极，其特征在于，该方法进一步包括以下步骤：用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，然后用温度为100-220度的磷酸或用温度为100-300度的熔融的KOH或KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N-GaN进行湿法腐蚀3-30分钟，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁，再对芯片的走道的侧壁进行ICP或RIE刻蚀至N-GaN层。