利用氧化物间隔部缩小间距

摘要

提供一种方法，用以蚀刻沉积于基板之上及于抗反射涂（antireflective coating，ARC）层与带有遮罩特征部的图案化有机遮层之下的蚀刻层。在处理腔室中放进一基板。开通ARC层。形成氧化物间隔部沉积层。部份移除有机遮层上的氧化物间隔部沉积层，其中至少移除此氧化物间隔部沉积层的顶端部份。藉由蚀刻而移除有机遮层与ARC层。经由氧化物间隔部沉积层的侧墙而蚀刻此蚀刻层。自处理腔室中移除基板。