用于形成具有硅化物层的半导体器件的方法

摘要

一种用于形成半导体器件的方法，包括，提供半导体基板，在半导体基板上形成绝缘层，在绝缘层上形成传导层，在传导层上形成第一金属硅化物层，对传导层构图以形成构图的第一层，其中构图的第一层是控制电极的一部分，对第一金属硅化物层构图以在控制电极上形成构图的第一金属硅化物层，由此构图的第一金属硅化物层保持在控制电极上，并且在构图的金属硅化物层上形成第二金属硅化物层，其中第二金属硅化物层的厚度大于第一金属硅化物层的厚度。

主权项

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体基板；在所述半导体基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成传导层；在所述传导层上淀积第一金属硅化物层，其中所述第一金属硅化物层具有第一厚度；退火所述第一金属硅化物层；将氮注入到所述第一金属硅化物层中；在所述传导层下形成金属层；对所述传导层构图以形成构图的第一层，其中所述构图的第一层是控制电极的一部分；对所述金属层构图，以形成所述控制电极的一部分；对所述第一金属硅化物层构图以在所述控制电极上形成构图的第一金属硅化物层，使得所述构图的第一金属硅化物层保持在所述控制电极上；和在所述构图的第一金属硅化物层上形成第二金属硅化物层，其中所述第二金属硅化物层包括所述第一金属硅化物层，所述第二金属硅化物层具有第二厚度，并且所述第二金属硅化物层的所述第二厚度大于所述第一金属硅化物层的所述第一厚度。