| 发明名称 | 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H<sub>2</sub>O∶HCl∶HNO<sub>3</sub>∶HF∶K<sub>2</sub>Cr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>∶CrO<sub>3</sub>＝80ml∶6-10ml∶10-15ml∶0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g。所说的II-VI族半导体材料为Zn<sub>y</sub>Cd<sub>1-y</sub>Te体材料和以其为衬底外延生长的Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te薄膜材料。腐蚀方法包括：被腐蚀样品的预处理，位错腐蚀和被腐蚀样品的后处理。它相比于目前Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te薄膜材料专用位错显示的两种常用Schaake和Chen腐蚀剂具有明显优势，体现在：腐蚀坑型较大、规则、背景清晰；又可以显示衬底材料Cd<sub>1-y</sub>Zn<sub>y</sub>Te的位错腐蚀坑，这对于研究外延和衬底的位错对应关系具有重要意义。 | ||
| 申请公布号 | CN100541726C | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200810033251.4 | 申请日期 | 2008.01.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 赵守仁;陆修来;魏彦锋;陈新强;杨建荣;丁瑞军;何力 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;C23F11/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 郭 英 |
| 主权项 | 1.一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，其特征在于：腐蚀剂的配比为：H2O∶HCl∶HNO3∶HF∶K2Cr2O7∶CrO3＝80ml∶6-10ml∶10-15ml∶0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g；所说的II-VI族半导体材料为ZnyCd1-yTe衬底外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料和ZnyCd1-yTe衬底体材料。 | ||
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 | ||