| 发明名称 | 大阵列CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种大阵列CMOS图像传感器，包括：像素阵列芯片和外围电路处理芯片，所述外围电路芯片位于像素阵列芯片的背面，并与像素阵列芯片连接。及所述大阵列CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括：将像素阵列制成像素阵列芯片；将像素阵列之外的外围电路制成外围电路芯片；将外围电路芯片放置在像素阵列芯片的背面；将外围电路芯片与所述像素阵列芯片连接。所述大阵列CMOS图像传感器及其制造方法能够简化CMOS图像传感器工艺难度、降低成本，并提高图像传感器可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101533836A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200810172782.1 | 申请日期 | 2008.12.12 |
| 申请人 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 发明人 | 周谨 |
| 分类号 | H01L25/18(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种大阵列CMOS图像传感器，其特征在于，包括：像素阵列芯片和外围电路处理芯片，所述外围电路芯片位于像素阵列芯片的背面，并与像素阵列芯片连接。 | ||
| 地址 | 215300江苏省昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室 | ||