| 发明名称 | 一种晶片聚合物缺陷的解决方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种针对特殊布局的金属—绝缘体—金属电容蚀刻产品所产生的整批产品中的第一片晶片聚合物缺陷的解决方法，通过改善金属—绝缘体—金属电容蚀刻工艺流程来克服具有特殊布局的金属—绝缘体—金属电容蚀刻产品的第一片晶片的聚合物缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101533773A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200810006567.4 | 申请日期 | 2008.03.10 |
| 申请人 | 和舰科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 黄志刚 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 屈小春 |
| 主权项 | 1. 一种晶片聚合物缺陷的解决方法，其特征在于，通过改善金属—绝缘体—金属电容蚀刻工艺流程来克服具有特殊布局的金属—绝缘体—金属电容蚀刻产品的第一片晶片的聚合物缺陷。 | ||
| 地址 | 215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||