| 发明名称 | 有序排列、大长宽比、高密度的硅纳米线及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种产生硅纳米线的方法，包括：提供掺杂材料形式的衬底；配制蚀刻溶液；将适当的电流密度施加适当的时间长度。还描述了至少部分地由硅纳米线构成的相关结构和器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101536187A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200780037375.3 | 申请日期 | 2007.10.05 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社;日立化成研究中心 | 发明人 | 吴永现 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同恒源知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张水俤 |
| 主权项 | 1. 一种通过电化学蚀刻硅衬底产生硅纳米线的方法，该方法包括：提供掺杂的硅材料形式的衬底；配制包含乙醇和氢氟酸的蚀刻溶液，该蚀刻溶液包含1-38％体积的氢氟酸；施加1-2,000mA/cm2的电流密度；以及电化学蚀刻上述衬底1秒至24小时。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||