半导体元件

摘要

一种半导体元件，其包括多个掺杂区、金属层与多晶矽层。掺杂区位于基底上。金属层包括多个金属线图案。多晶矽层位于基底与金属层之间，其包括闸极图案以及与闸极图案连接之至少一个护环图案，其中至少一护环图案环绕于那些金属线图案之至少之一周围。那些金属线图案之一与闸极图案连接，剩余之金属线图案与其中之一掺杂区连接。