| 摘要 |
本发明揭示一种依据一具体实施例制造一半导体装置之方法，其包含：藉由塑形一半导体基板上所形成之一半导体膜而形成一闸极电极；藉由一第一气体或一第二气体之电浆放电在该闸极电极之一侧面上形成一保护膜，该第一气体除含有O#sB!2#eB!外亦含有HBr、Cl#sB!2#eB!、CF#sB!4#eB!、SF#sB!6#eB!与NF#sB!3#eB!之至少一者且其O#sB!2#eB!之一流量率大于整体流量率总和之80％，且该第二气体除含有O#sB!2#eB!与N#sB!2#eB!外亦含有HBr、Cl#sB!2#eB!、CF#sB!4#eB!、SF#sB!6#eB!与NF#sB!3#eB!之至少一者且其O#sB!2#eB!与N#sB!2#eB!合计之流量率大于整体流量率总和之80％；以及在形成该保护膜后移除该半导体基板上之该半导体膜之残余物。 |
