具有浮体电晶体的半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种用于制造一具有一浮体电晶体的半导体元件的方法，该方法可包含：蚀刻一SOI基板，用以露出一BOX区；以磊晶的方式成长该基板的侧壁；以及让该已成长的矽接触一着陆插件多晶体，用以形成源极/汲极区。该方法会降低该源极和该汲极之间之击穿现象的发生机率，而不会缩减该SOI基板的厚度，并且还会帮助达成接面隔离的目的。