发明名称 高密度双层光盘
摘要 本发明公开一种高密度双层光盘,其被设置成从透光衬底的光入射表面到第一记录层的第一衬底厚度等于通过把一般高密度单层光盘中的从透光衬底的光入射表面到记录层的衬底厚度减去第一和第二记录层之间的距离的一半所获得的值,以及从透光衬底的光入射表面到第二记录层的第二衬底厚度等于通过把第一和第二记录层之间的距离的一半加上一般高密度单层光盘中的从透光衬底的光入射表面到记录层的衬底厚度所获得的值。
申请公布号 CN100541626C 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN03800945.5 申请日期 2003.06.04
申请人 LG电子株式会社 发明人 金进镛;朴景灿;郑盛允
分类号 G11B7/24(2006.01)I 主分类号 G11B7/24(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 樊卫民;袁炳泽
主权项 1.一种高密度双层光盘,其包括覆盖层、第一记录层和第二记录层,这些层被定位在平分盘厚度的中央平面的一侧且靠近光入射表面,其中:当该覆盖层的折射率是1.45时,所述第一记录层和第二记录层位置距光入射表面68.5μm和106.5μm之间;以及当该覆盖层的折射率是1.7时,所述第一记录层和第二记录层位置距光入射表面71.4μm和110.5μm之间;当该覆盖层的折射率是1.6时,所述第一记录层和第二记录层位置距光入射表面70μm和108μm之间;其中在第一和第二记录层之间的距离被设置在19μm±5μm的范围内。
地址 韩国首尔
您可能感兴趣的专利