| 发明名称 | 极端远紫外掩模及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及EUV掩模及其制造方法。所述EUV掩模包括：形成在衬底上并反射EUV光的多反射层；限定侧壁和形成在所述多反射层上并选择性地暴露出所述多反射层区域的吸收层图案；和设置在所述吸收层图案侧壁处的额外反射EUV光的反射间隔物。 | ||
| 申请公布号 | CN101533217A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200910006031.7 | 申请日期 | 2009.01.22 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 吴宬贤 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1. 一种极端远紫外(EUV)掩模，包括：形成在衬底上并反射EUV光的多反射层；限定侧壁且形成在所述多反射层上并选择性地暴露出所述多反射层区域的吸收层图案；和设置在所述吸收层图案侧壁处的额外反射EUV光的反射间隔物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||