发明名称 |
以离子植入致能的晶圆键合 |
摘要 |
所揭露的是将两个藉由离子植入而活化的基底晶圆键合在一起的方法。原位离子键合室允许在制造流程所使用的现有制程设备中进行离子活化与键合。基底的至少其中之一是在低植入能量下进行离子活化,以确保薄表面层下面的晶圆材料免受离子活化的影响。 |
申请公布号 |
TW200939313 |
申请公布日期 |
2009.09.16 |
申请号 |
TW097136073 |
申请日期 |
2008.09.19 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
艾洛克海 由里;沙利文 保罗;沃特 史帝文R;纽南 彼得 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01);H01L21/30(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
主权项 |
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地址 |
美国 |