发明名称 具深蚀刻孔洞之基板式太阳能电池
摘要 一种具深蚀刻孔洞之基板式太阳能电池,系包含以半导体材料为基板之太阳能电池,可为单晶(Single Crystal)、多晶(Polycrystal)或无晶系(Amorphous)等多种选择性之结构,并具有复数个经由蚀刻或加工等方式形成之深孔洞,且各深孔洞之深度系含该基板厚度之四分之一以上者,或各深孔洞之洞底表面距离该基板孔洞侧之另一侧表面系含五十微米以下者为其特征。因此,本发明系一可降低载子(Carrier)再次结合之机率,以增加光能/电能转换效率之基板式太阳能电池。
申请公布号 TW200939487 申请公布日期 2009.09.16
申请号 TW097108807 申请日期 2008.03.13
申请人 王立康 发明人 王立康
分类号 H01L31/0236(2006.01);H01L31/042(2006.01) 主分类号 H01L31/0236(2006.01)
代理机构 代理人 欧奉璋
主权项
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