| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 按照本发明的一个方面，一种半导体器件包括：N沟道MIS晶体管，包括：p型半导体层；形成在p型半导体层上的第一栅极绝缘层；形成在第一栅极绝缘层上的第一栅极电极；和形成在p型半导体层中的第一源极-漏极区域，其中第一栅极电极沿着栅极长度的方向夹在该第一源极-漏极区域中。第一栅极电极包括含有NiSi<sub>2</sub>的立方晶体的晶相，NiSi<sub>2</sub>的立方晶体具有5.39埃至5.40埃的晶格常数。 | ||
| 申请公布号 | CN100541818C | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200710084476.8 | 申请日期 | 2007.03.02 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 土屋义规;小山正人;吉木昌彦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：N沟道MIS晶体管，该N沟道MIS晶体管包括：p型半导体层；形成在所述p型半导体层上的第一栅极绝缘层；形成在第一栅极绝缘层上的第一栅极电极，第一栅极电极包括含有NiSi2的立方晶体的晶相，具备NiSi2的立方晶体的晶相的NiSi2半导体层与第一栅极绝缘层接触，NiSi2的立方晶体具有5.39埃至5.40埃的晶格常数；和形成在所述p型半导体层中的第一源极-漏极区域，其中第一栅极电极沿着栅极长度的方向夹在该第一源极-漏极区域中，其中第一栅极电极包括：由含有TiSi2的正交晶体的晶相形成的上层；和由含有NiSi2的立方晶体的晶相形成的下层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||