发明名称 一种电阻随机存储器及其存储操作方法
摘要 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种电阻随机存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储电阻,每个存储单元中都包括两个或两个以上存储电阻,每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接,第二电极与不同的位线耦连,形成若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构。本发明可大大提高存储集成密度。
申请公布号 CN100541664C 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200710036818.9 申请日期 2007.01.25
申请人 林殷茵;陈邦明 发明人 林殷茵;陈邦明
分类号 G11C11/56(2006.01)I;G06F13/00(2006.01)I 主分类号 G11C11/56(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 代理人 陆 飞;盛志范
主权项 1、一种电阻随机存储器件,采用二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储电阻,其特征在于包括数个存储单元,每个存储单元中都包括两个或两个以上的上述存储电阻,每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接,并通过该选通器件与字线耦连;每个存储电阻的第二电极与不同的位线耦连,形成若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构;其中,同一存储单元中的不同存储电阻位于不同的互连金属线层上,每一层互连金属线层和与之连接的存储介质所在的层构成一个复合层,不同复合层在垂直方向进行层叠,相邻复合层间通过位于通孔中的金属塞连接,形成三维的存储阵列。
地址 200433上海市双阳北路288弄143号901室