半导体装置及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述的半导体装置包括一基底；一埋层，形成于所述的基底内，其中所述的埋层包含一绝缘区及一导体区；以及一深沟渠接触结构，形成所述的基底内，其中所述的深沟渠接触结构包含一导电材料，且所述的导电材料与所述的导体区电性连接。本发明能够大幅提升单一晶圆内所能配置的元件数且提高元件密度，当选择掺杂的多晶硅作为深沟渠接触结构内的导电材料时，能够缓冲包含氧化物的衬垫层与磊晶层之间由于晶格差异所造成的应力，以提升元件的稳定度及其功效。

主权项

1. 一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括：一基底；一埋层，形成于所述的基底内，其中所述的埋层包含一绝缘区；以及一深沟渠接触结构，形成于所述的基底内，其中所述的深沟渠接触结构包含一导电材料及一衬垫层，其中所述的衬垫层形成于所述的导电材料的侧壁上，且所述的导电材料与所述的基底电性连接。