光半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之目的为：在填埋型半导体雷射中，于高温、高光输出条件下连续通电时，防止振荡阈值电流之上升或外部微分量子效率之降低，使可靠性提升。本发明之光半导体装置，包含:光导波路构造，由n型包覆层11、活性层12及p型包覆层13a、13b所构成；电流狭窄构造，由p型阻挡层15及n型阻挡层16所构成;p型包覆层13a、13b所含氢浓度高于p型阻挡层15所含氢浓度。