| 发明名称 | 高压电容结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种高压电容结构及其制造方法。高压电容结构包括双重扩散漏极结构层、氧化层及多晶硅层。双重扩散漏极结构层用以作为一高压电容的下电极板。氧化层是形成于双重扩散漏极结构层上，且氧化层完全重叠于双重扩散漏极结构层上。多晶硅层是形成于氧化层上，用以作为高压电容的上电极板。 | ||
| 申请公布号 | CN101533766A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200810086404.1 | 申请日期 | 2008.03.13 |
| 申请人 | 联咏科技股份有限公司 | 发明人 | 林瑞昌 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆 嘉 |
| 主权项 | 1. 一种高压电容结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一双重扩散漏极结构层作为一高压电容的下电极板；形成一氧化层于所述双重扩散漏极结构层上，且所述氧化层完全重叠于所述双重扩散漏极结构层上；以及形成一多晶硅层于所述氧化层上，作为所述高压电容的上电极板。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区创新一路1-2号 | ||