发明名称 | 一种磁共振成像装置超导磁体的优化设计方法 | ||
摘要 | 一种磁共振装置超导磁体的优化设计方法,首先根据磁场约束条件获得主线圈和和屏蔽线圈的电流分布图,然后在电流分布图基础上得到屏蔽线圈初始截面;以屏蔽线圈磁场为背景磁场,再次采用磁场约束条件获得主线圈电流分布图,从而得到主线圈初始截面;在主线圈和屏蔽线圈初始截面的基础上,采用遗传模拟退火混和算法对线圈截面参数进行优化,获得最优的线圈配置。本发明可以同时设计主线圈和屏蔽线圈。 | ||
申请公布号 | CN101533077A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
申请号 | CN200910082180.1 | 申请日期 | 2009.04.17 |
申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 王春忠;王秋良;王厚生 |
分类号 | G01R33/38(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/38(2006.01)I |
代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 关 玲;贾玉忠 |
主权项 | 1、一种磁共振装置超导磁体的优化设计方法,其特征在于,所述方法首先根据磁场约束条件获得主线圈和和屏蔽线圈的电流分布图,然后在电流分布图基础上得到屏蔽线圈初始截面;以屏蔽线圈磁场为背景磁场,再次采用磁场约束条件获得主线圈电流分布图,从而得到主线圈初始截面;在主线圈和屏蔽线圈初始截面的基础上,采用遗传模拟退火混和算法对线圈截面参数进行优化,获得最优的线圈配置。 | ||
地址 | 100080北京市海淀区中关村北二条6号 |