发明名称 半模基片集成波导漏波天线
摘要 半模基片集成波导漏波天线采用双面单层PCB工艺,利用上下金属表面和一侧金属化通孔阵列来实现对电磁波的封闭,而在开口面实现有效漏波辐射。半模基片集成波导漏波天线采用宽度减小的漏波部分的半模基片集成波导(9)以实现有效的漏波辐射;该天线在介质基片(1)的底层完全覆盖下金属面(4),顶层覆盖上金属面(2),位于正常宽度的半模基片集成波导(7)、宽度渐变的半模基片集成波导(8)、漏波部分的半模基片集成波导(9)一侧的金属化通孔(3)连接上、下金属层;为测试方便,输入输出端为50欧姆微带(5)。
申请公布号 CN101533959A 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200910030787.5 申请日期 2009.04.15
申请人 东南大学 发明人 洪伟;徐俊峰;汤红军;蒯振起
分类号 H01Q13/10(2006.01)I;H01Q13/06(2006.01)I;H01Q13/08(2006.01)I;H01Q15/08(2006.01)I 主分类号 H01Q13/10(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 叶连生
主权项 1. 一种半模基片集成波导漏波天线,其特征在于采用宽度减小的漏波部分的半模基片集成波导(9)以实现有效的漏波辐射;该天线在介质基片(1)的底层完全覆盖下金属面(4),顶层覆盖上金属面(2),位于正常宽度的半模基片集成波导(7)、宽度渐变的半模基片集成波导(8)、漏波部分的半模基片集成波导(9)一侧的金属化通孔(3)连接上、下金属层;为测试方便,输入输出端为50欧姆微带(5)。
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