化学机械抛光垫

摘要

本发明提供了适于对半导体基板、光学基板和磁性基板中的至少一种进行平面化的抛光垫。所述抛光垫包括聚合物基体，所述聚合物基体具有顶部抛光表面。所述顶部抛光表面具有聚合物抛光粗糙结构，或者在用磨料进行精整的过程中形成聚合物抛光粗糙结构。所述聚合物抛光粗糙结构是由具有以下特征的聚合物材料制成的：所述聚合物材料包含至少45重量％的硬链段，整体极限抗张强度至少为6500psi，即44.8兆帕，所述聚合物基体具有两相结构，包括硬相和软相，这两相结构中硬相平均面积与软相平均面积的比值小于1.6。

主权项

1.一种适于对半导体基板、光学基板和磁性基板中的至少一种进行平面化的抛光垫，所述抛光垫包括聚合物基体，所述聚合物基体具有顶部抛光表面，所述顶部抛光表面具有聚合物抛光粗糙结构，或者在用磨料进行精整的时候形成聚合物抛光粗糙结构，所述聚合物抛光粗糙结构从所述聚合物基体延伸，是所述顶部抛光表面可以与基板相接触的部分，所述抛光垫通过对顶部抛光表面进行磨耗或精整，由聚合物基体形成另外的聚合物抛光粗糙结构，所述聚合物抛光粗糙结构是由具有以下特征的聚合物材料制成的：所述聚合物材料包含至少45重量％的硬链段，整体极限抗张强度至少为6500psi，即44.8兆帕，所述聚合物基体具有两相结构，包括硬相和软相，这两相结构中硬相平均面积与软相平均面积的比值小于1.6。