发明名称 半导体装置金属之可程式化集用过程及晶粒
摘要 本发明提供一种晶粒设计之集用库(pool),其包含具有金属可程式化基底层之晶粒设计。该集用库中之晶粒设计被选用于制造晶粒。晶粒设计系藉由定制已存在于集用库中之晶粒设计或藉由制备并入一金属可程式化基底层之定制晶粒设计而加入到该集用库。在一些实施例中,多区块晶粒具有可构形以用于区块间通信或晶粒间通信之I/O插槽。
申请公布号 TW200939059 申请公布日期 2009.09.16
申请号 TW097138601 申请日期 2008.10.07
申请人 速桥有限责任公司 发明人 贝汉 麦雷克柯瑞维;大卫 伊恩 卫斯特
分类号 G06F17/50(2006.01);H01L23/528(2006.01) 主分类号 G06F17/50(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国