氧化锌纳米紫外光敏传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化锌纳米紫外光敏传感器及其制备方法。该传感器至少包括水平排列的氧化锌纳米杆和导电薄膜电极，其制备方法是利用传统光刻工艺在衬底上做出插指电极的光刻胶掩膜，然后在衬底上沉积一层对ZnO具有亲和力的种子层上再沉积一层对ZnO不具有亲和力的钝化层，使用水热法这种低温且稳定具有高度重复性的方法生长ZnO纳米杆；由于纳米杆生长时的空间竞争，大部分纳米杆都平行于衬底生长并且在沟道中间连接，便形成了ZnO纳米紫外光敏传感器，具有较小的暗电流(1V偏压时约3nA)。本发明工艺简单、成本低廉，可大面积制备ZnO纳米传感器阵列，一次就位的工艺也保证了器件的性能。

主权项

1、一种氧化锌纳米紫外光敏传感器，至少包括水平排列的氧化锌纳米杆和导电薄膜电极，其特征在于：该传感器是由水热法制备的水平生长的氧化锌纳米杆阵列形成的紫外光敏传感器。