| 发明名称 | 用于形成氮化物晶体的方法 | ||
| 摘要 | 提供用于生长氮化物晶体的方法和选自AlN、InGaN、AlGaInN、InGaN和AlGaNInN中的一种的结晶成分。所述成分包括真的单晶，其从直径至少1mm的单核生长，没有横向应变和倾斜晶界，具有低于约10<sup>4</sup>cm<sup>-2</sup>的位错密度。 | ||
| 申请公布号 | CN101535532A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200780037599.4 | 申请日期 | 2007.10.05 |
| 申请人 | 迈图高新材料公司 | 发明人 | 史蒂芬·艾佛烈德·泰索;东-斯尔·帕克;约翰·托马斯·勒曼;马克·德艾芙琳;克里斯蒂·纳拉恩;慧聪·洪 |
| 分类号 | C30B9/00(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 1. 用于生长氮化物晶体的方法，其包括：提供包含低于1重量百分比氧的源材料；提供矿化剂；任选地，提供一个以上的晶种；提供囊体；用含氮溶剂填充该囊体；在高于约550℃温度下和高于约2kbar的压力下在超临界流体中处理该囊体和内含物。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格 | ||