发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法和显示器件 |
摘要 |
本发明公开了一种用于在基板上制造薄膜晶体管的方法,该方法包括:形成栅极;形成与栅极绝缘并与栅极部分交叠的半导体层;在栅极和半导体层之间依次形成第一和第二栅绝缘层,其中所述第一栅绝缘层由不同于第二栅绝缘层的材料形成并且第一和第二栅绝缘层其中至少之一包括溶胶化合物;以及在半导体层的两侧处形成源极和漏极。 |
申请公布号 |
CN100541742C |
申请公布日期 |
2009.09.16 |
申请号 |
CN200610160656.5 |
申请日期 |
2006.11.29 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
蔡基成;许宰硕;田雄基 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐金国;梁 挥 |
主权项 |
1.一种用于在基板上制造薄膜晶体管的方法,包括:形成栅极;形成与所述栅极绝缘并与所述栅极部分交叠的半导体层;在所述栅极和所述半导体层之间依次形成第一和第二栅绝缘层,其中所述第一栅绝缘层由不同于所述第二栅绝缘层的材料形成并且所述第一和第二栅绝缘层其中至少之一包括溶胶-凝胶化合物;以及在所述半导体层的两侧处形成源极和漏极。 |
地址 |
韩国首尔 |