发明名称 |
存储多值数据的非易失性半导体存储器 |
摘要 |
基准电流生成电路生成至少1个基准电流。电压生成电路生成电压。读出放大器根据从电压生成电路供给的电压来比较流过存储单元的电流与从基准电流生成电路供给的基准电流。对控制部供给读出放大器的输出信号。控制部在校验存储单元的阈值电压时,使电压生成电路生成与在从存储单元读出数据时所生成的读出电压为同一电压的校验电压。 |
申请公布号 |
CN100541663C |
申请公布日期 |
2009.09.16 |
申请号 |
CN200610073510.7 |
申请日期 |
2006.04.12 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
本多泰彦;栗山正男 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体存储器,具备:具有与字线连接的控制栅的存储单元;生成至少1个基准电流的基准电流生成电路;生成施加给上述控制栅的字线电压的电压生成电路;读出放大器,根据从上述电压生成电路供给的上述字线电压来比较流过上述存储单元的电流与从上述基准电流生成电路供给的基准电流;以及被供给上述读出放大器的输出信号的控制部,其特征在于:在校验上述存储单元的阈值电压时,上述控制部使从上述基准电流生成电路输出的基准电流变化,且使上述电压生成电路生成与在从上述存储单元读出数据时所生成的字线电压为同一电压的字线电压。 |
地址 |
日本东京都 |