发明名称 化学气相沉积设备
摘要 在化学气相沉积设备中,与外部RF电源相连的RF电源连接部分安装在腔室的上部;喷头在垂直方向分为第一、二喷头;将第一喷头和腔室内表面分开的上绝缘部分安装于腔室的内上表面;在上绝缘部分和第一喷头间形成第一缓冲部分;第一、二喷头间的间隔形成第二缓冲部分;用RF杆将RF电源连接部分与第一喷头的上表面连接,使电能从外部RF电源供至第一喷头;下绝缘部分设在腔室内侧,将第一、二喷头和腔室内侧隔开;反应气体供至利用由RF电源供给到第一喷头的电能产生等离子体的第二缓冲部分中,由第二喷头喷射游离基到基体;源气体供至第一缓冲部分并经形成在第一喷头中的多个喷射管喷射到基体上,而不与第二缓冲部分接触;第二喷头与腔室连接从而接地。
申请公布号 CN100540734C 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200610074522.1 申请日期 2002.03.19
申请人 株式会社IPS 发明人 金宰湖;朴相俊
分类号 C23C16/513(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I 主分类号 C23C16/513(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 陈 坚
主权项 1.一种化学气相沉积设备,该设备包括下部设有出口的腔室;分别用于将处理气体供给到所述腔室中的源气体导管、反应气体导管和清洁气体导管;加热器,所述加热器设置在腔室中,用于支撑基体并用作预定的加热源,薄膜沉积于所述基体上;喷头,所述喷头设置在所述加热器上方,所述喷头具有多个喷射孔,用于均匀地喷射通过导管所供给的处理气体;所述设备的特征在于:可与外部RF电源相连的RF电源连接部分安装在所述腔室的上部;所述喷头在垂直方向被分为第一喷头和第二喷头;用于将所述第一喷头和所述腔室的内表面分开的上绝缘部分安装在腔室的内上表面上;在所述上绝缘部分和所述第一喷头之间形成有第一缓冲部分;在所述第一喷头和第二喷头之间的间隔形成了第二缓冲部分;利用RF杆将RF电源连接部分与所述第一喷头的上表面连接在一起,以使电能可从外部RF电源供给到所述第一喷头;以及下绝缘部分,该下绝缘部分设置在所述腔室的内侧上,用于将所述第一喷头与所述第二喷头和所述腔室的内侧隔开;其中,反应气体供给到第二缓冲部分,利用由RF电源供给到第一喷头上的电能使等离子体产生在第二缓冲部分中,并通过第二喷头将游离基喷射到基体上;以及其中源气体被供给到第一缓冲部分并接着通过形成在所述第一喷头中的多个喷射管被喷射到基体上,而不与第二缓冲部分接触;其中所述第二喷头与所述腔室连接,从而被接地。
地址 韩国京畿道