发明名称 以较慢开关速度来保护电晶体胞元的强韧半导体功率装置
摘要 本发明公开了一种功率开关,其包括可控的快速开关半导体功率器件和慢速开关半导体功率器件,用以导通和关断通过其传送的电流。慢速开关半导体功率器件还包括一镇流电阻,用以提高慢速开关半导体功率器件的器件强度。在一种具体实施方式中,快速开关半导体功率器件包括一快速开关MOSFET,而慢速开关半导体功率器件包括一慢速开关MOSFET,其中,该慢速开关MOSFET还包括一源极镇流电阻。
申请公布号 TW200939627 申请公布日期 2009.09.16
申请号 TW098104643 申请日期 2009.02.13
申请人 万国半导体股份有限公司 ALPHA & 发明人 雷燮光;叭剌 安荷
分类号 H03K17/284(2006.01) 主分类号 H03K17/284(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 美国