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发明名称
利用表面粗糙之高度光取出效率之氮化物基发光二极体
摘要
本发明揭示一种I11-氮化物发光二极体(LED)及其制造方法,其中纹理化该LED之一I11-氮化物层之一半极性或非极性平面之至少一个表面,藉此形成一经纹理化表面以增加光取出。可藉由电浆辅助化学蚀刻、微影后跟蚀刻或奈米转印后跟蚀刻来实施该纹理化。
申请公布号
TW200939540
申请公布日期
2009.09.16
申请号
TW097146655
申请日期
2008.12.01
申请人
美国加利福尼亚大学董事会
发明人
钟弘;阿努拉格 提雅吉;肯尼斯J 凡波拉;詹姆士S 史贝克;史帝芬P 丹巴尔斯;中村秀治
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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