藉由自对准矽至矽锗转换处理来引发多闸奈米尺度电晶体的单轴应变之方法以及藉由该方法形成之结构

摘要

本发明说明了形成微电子结构之方法。那些方法之实施例可包含下列步骤：提供包含一上表面以及第一及第二横向相对的侧壁之一闸电极而其中一硬质遮罩被配置在该上表面上、被配置在该闸电极的对向侧之一源极/汲极区、以及被配置在该闸电极的该第一及第二横向相对的侧壁上之一间隔物；在该源极/汲极区的上表面以及第一及第二横向相对的侧壁之露出部分上形成一矽锗层；以及然后将该矽锗层的一部分氧化，其中该矽锗层的一锗部分被强制向下到该源极/汲极区，以便将该源极/汲极区的一矽部分转换为该源极/汲极区的一矽锗部分。