发明名称 半导体发光元件
摘要 本发明提供一种半导体发光元件,其包括基底、形成于基底上之半导体发光结构、以及极性相反之第一电极和第二电极,该半导体发光结构包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、以及一位于第一型半导体层与一第二型半导体层之间之活性层,该第一电极和第二电极分别与第一型半导体层和第二型半导体层形成电连接,该第二电极包括一透光导电层和一与透光导电层电接触之图案化金属导电层,该第一电极包括相互分离之一感应电极以及一第一接触垫。
申请公布号 TW200939525 申请公布日期 2009.09.16
申请号 TW097108099 申请日期 2008.03.07
申请人 沛鑫半导体工业股份有限公司 发明人 徐智鹏;马志邦;江文章
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科中路16号
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