使用局部离子布植诱发闸极体积变化之通道应力工程

摘要

一种制造一半导体结构之方法，其利用一体积变化离子布植于一闸极电极之一体积改变部分中，此闸极电极系位于一半导体基板中之一通道区域之上，以形成在此半导体基板中之通道区域上的闸极电极之一体积已改变部分。此闸极电极的体积已改变部分典型地在垂直方向，形成双方向且对称的渐变。闸极电极的体积已改变部分具有一第一应力，其系在此半导体基板中之通道区域内，诱发一第二应力，此第二应力系异于第一应力。