非挥发性半导体记忆装置

摘要

于相变化记忆体等，以薄膜形成记录材料与选择元件之双方时，因为改写动作等之热会使和记录材料层邻接之层的原子扩散至记录材料，而存在着改写特性变化之问题。为解决上述问题，本发明系于非挥发性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间，具有5nm以上200nm以下膜厚之半导体层(222)。如此则，可获得大容量、且改写条件稳定之非挥发性记忆体。