电荷平衡场效应晶体管

摘要

一种如下形成的场效应晶体管。提供第一导电类型的半导体区，第二导电类型的外延层在半导体区之上延伸。形成延伸穿过外延层并在半导体区中停止的沟槽。执行第一导电类型的掺杂物的双通道倾斜注入，从而沿沟道侧壁形成第一导电类型的区域。执行第二导电类型的掺杂物的阈值电压调节注入，从而将第一导电类型的区域沿沟槽的上侧壁延伸的部分的导电类型转变为第二导电类型。形成在沟槽的每侧的侧面的第一导电类型的源区。

主权项

1. 一种形成FET的方法，包括：为第一导电类型的半导体区提供在所述半导体区上延伸的第二导电类型的外延层；形成延伸穿过所述外延层并在所述半导体区中停止的沟槽；执行所述第一导电类型的掺杂物的双通道倾斜注入，从而沿所述沟槽的侧壁形成第一导电类型的区域；执行所述第二导电类型的掺杂物的阈值电压调节注入，从而将第一导电类型的所述区域沿所述沟槽的上侧壁延伸的部分的导电类型转变为所述第二导电类型；以及在所述沟槽的每一侧的侧面形成所述第一导电类型的源区。