| 发明名称 | 半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构，包括：一有源区(active region)、位于有源区上方的一栅极带层、以及一金属-氧化物-半导体(MOS)装置。一部份的栅极带层构成MOS装置的栅极。一部份的有源区构成MOS装置的源极/漏极(source/drain)区。半导体结构还包括：位于MOS装置上方的一应激(stressor)区以及位于应激区内部且位于有源区上方外侧的一无应激(stressor-free)区。通过本发明的半导体结构可以改善施加于MOS装置的应力，进而改善MOS装置的效能。 | ||
| 申请公布号 | CN101533853A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200810215842.3 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王彦森;林仲德;曹敏;杨胜杰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：一有源区；一栅极带层，位于该有源区上方；一金属-氧化物-半导体装置，其中一部份的该栅极带层构成该金属-氧化物-半导体装置的一栅极；一部份的该有源区构成该金属-氧化物-半导体装置的一源极/漏极区；一应激区，位于该金属-氧化物-半导体装置上方；以及一无应激区，位于该应激区内部与其外部的该有源区上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||