发明名称 两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
摘要 一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
申请公布号 CN101532175A 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200910058467.0 申请日期 2009.03.02
申请人 四川大学 发明人 朱建国;孙宇澄;肖定全;李雪东;朱基亮
分类号 C30B29/22(2006.01)I;C30B29/30(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;H01L41/24(2006.01)I 主分类号 C30B29/22(2006.01)I
代理机构 成都科海专利事务有限责任公司 代理人 黄幼陵;马新民
主权项 1、一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理,其特征在于钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。
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