薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法，包括下列步骤：首先，提供一基板。接着，于基板上形成一牺牲层。然后，于基板上形成一多晶硅图案层，以围绕牺牲层。之后，形成一栅极绝缘层，至少覆盖多晶硅图案层。此外，于多晶硅图案层上方的栅极绝缘层上形成一栅极图案。于多晶硅图案层中形成一源极区、一漏极区与一有源区，且有源区位于源极区与漏极区之间。另外，形成一保护层，以覆盖栅极图案与部分栅极绝缘层。之后，于保护层上形成一源极导电层与一漏极导电层。源极导电层、漏极导电层会分别与多晶硅图案层的源极区、该漏极区电性连接。

主权项

1. 一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基板；于该基板上形成一牺牲层；于该基板上形成一多晶硅图案层，以围绕该牺牲层；形成一栅极绝缘层，至少覆盖该多晶硅图案层；于该多晶硅图案层上方的该栅极绝缘层上形成一栅极图案；于该多晶硅图案层形成一源极区、一漏极区与一有源区，且该有源区位于该源极区与该漏极区之间；形成一保护层，以覆盖部分该栅极绝缘层与该栅极图案；以及于该保护层上形成一源极导电层与一漏极导电层，该源极导电层、该漏极导电层会分别与该多晶硅图案层的该源极区、该漏极区电性连接。