| 发明名称 | 一种刻蚀钨栅的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀钨栅的工艺方法，属于半导体加工制造领域。所述方法包括：将半导体硅片移动到反应腔室内部，并将半导体硅片加热到高温；将第一反应气体通入反应腔室内部，并待第一反应气体气流稳定后向反应腔室施加射频功率；第一反应气体对半导体硅片的硅化钨层/钨层进行刻蚀，并在刻蚀完成后，停止向反应腔室输入第一反应气体及施加射频功率；将第二反应气体通入反应腔室内部，并待第二反应气体气流稳定后向反应腔室施加射频功率；第二反应气体对半导体硅片的多晶硅层进行刻蚀，并在刻蚀完成后，停止向反应腔室输入第二反应气体及施加射频功率；将半导体硅片移出反应腔室。本发明提高了钨栅刻蚀工艺中硅化钨/钨层对多晶硅层的选择比。 | ||
| 申请公布号 | CN101533772A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200810101804.5 | 申请日期 | 2008.03.12 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 王娜 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 1. 一种刻蚀钨栅的工艺方法，其特征在于，所述方法包括：步骤A：将半导体硅片移动到反应腔室内部，并将所述半导体硅片加热到高温；步骤B：将第一反应气体通入所述反应腔室内部，并待所述第一反应气体气流稳定后向所述反应腔室施加射频功率；步骤C：所述第一反应气体对所述半导体硅片的硅化钨层/钨层进行刻蚀，并在刻蚀完成后，停止向所述反应腔室输入所述第一反应气体及施加射频功率；步骤D：将第二反应气体通入所述反应腔室内部，并待所述第二反应气体气流稳定后向所述反应腔室施加射频功率；步骤E：所述第二反应气体对所述半导体硅片的多晶硅层进行刻蚀，并在刻蚀完成后，停止向所述反应腔室输入所述第二反应气体及施加射频功率；步骤F：将所述半导体硅片移出所述反应腔室。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 | ||