闸极结构的制造方法

摘要

一种闸极结构的制造方法。首先，提供一基底，基底上已形成闸极介电层，且闸极介电层上形成有至少一介电柱。然后，在基底上方顺应性形成多晶矽层，覆盖住介电柱与闸极介电层。之后，进行一蚀刻制程，移除部分的多晶矽层，以于介电柱的侧壁形成二多晶矽间隙壁。接着，在基底上形成蚀刻终止层，以及形成介电层以覆盖蚀刻终止层、二多晶矽间隙壁与介电柱。然后，移除部分的介电柱与介电层，使介电柱与介电层的表面低于多晶矽柱的表面。随后，进行一自行对准金属矽化物制程，使多晶矽柱转变成金属矽化物柱。