发明名称 内埋式晶片封装结构及其制作方法
摘要 一种内埋式晶片封装结构,包括一核心层、一第一增层线路结构以及一第二增层线路结构。核心层具有相对应之一第一表面以及一第二表面,且包括一第一介电层、一导线架、一晶片、一第一讯号层以及一第二讯号层。晶片配置于该导线架上,且与导线架电性连接。此晶片及导线架系内埋于第一介电层中。第一讯号层配置于第一介电层之一上表面,且与导线架电性连接。第二讯号层配置于第一介电层之一下表面,且与导线架电性连接。第一增层线路结构及第二增层线路结构分别配置于核心层之第一表面与第二表面上。
申请公布号 TW200939424 申请公布日期 2009.09.16
申请号 TW097107502 申请日期 2008.03.04
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈国华;欧英德;府玠辰
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L23/28(2006.01);H01L23/00(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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