| 摘要 |
本发明之一种半导体元件至少包含一个较深保护带扩散区，一个基扩散区被该较深保护带扩散区所包围且交互连接，一个射扩散区形成于该基扩散区之内，一个射接触电极透过一个射接触窗口与该射扩散区的一个顶部表面区接触，以及一个基接触电极透过一个基接触窗口与该较深保护带扩散区的一个顶部表面接触。上述之较深保护带扩散区更进一部包含一个中度掺杂保护带扩散区形成于一个淡掺杂保护带扩散区之内。上述之射扩散区更进一步包含一个高掺杂射扩散区形成于一个中度掺杂射扩散区之内。上述之较深保护带扩散区和该基扩散区系分别形成于一个淡掺杂磊晶矽层置于一个高掺杂矽基板之上的一个指定表面区之内。 |
