氧化物半导体材料及其制造方法、电子装置及场效电晶体

摘要

本发明是提供氧化物半导体材料及其制造方法、电子装置及场效电晶体。氧化物半导体材料系含有Zn、Sn以及O但不含In，且电子载体浓度大于1×10#sP!15#eP!／cm#sP!3#eP!，不到1×10#sP!18#eP!／cm#sP!3#eP!。电子装置系具备有由氧化物半导体材料所组成之半导体层、及被设置在前述半导体层之电极。场效电晶体系具备有由氧化物半导体材料所组成之半导体层、被设置在前述半导体层且相互隔开之源极电极和汲极电极、及被设置在可对位于前述源极电极与前述汲极电极之间之前述半导体层的区域施加偏压电位的位置之闸极电极。