Verringerung der Speicherinstabilität durch lokale Anpassung der Rekristallisierungsbedingungen in einem Cache-Bereich eines Halbleiterbauelements

摘要

Durch geeignetes lokales Steuern der Bedingungen während eines Rekristallisierungsprozesses in einem Speichergebiet und einem geschwindigkeitskritischen Bauteilgebiet kann das Erzeugen von Dislokationsdefekten in dem Speichergebiet verringert werden, wodurch die Gesamtstabilität entsprechender Speicherzellen verbessert wird. Andererseits können höhere Verformungspegel in dem geschwindigkeitskritischen Bauteilgebiet erreicht werden, indem ein effizienter Amorphisierungsprozess ausgeführt wird, und die amorphisierten Bereiche beispielsweise in Anwesenheit eines steifen Materials rekristallisiert werden, um einen gewünschten hohen Verformungspegel zu erhalten.